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简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

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新产品针对外部微处理器应用可提供完整的模拟系统解决方案  功率器件和传感器技术的全球领导厂商Allegro Micr oSystems(以下简称Allegro)宣布推出符合ISO-26262标准的全新N沟道功率 MOSFET驱动器AMT49105,新产品能够简化电机系统设计,并通过集成所需的功率模拟系统而减少了PCB面积。 AMT49105得益于强大...
类别:驱动 2018-12-24 标签: Allegro Microsystems
碳化硅 MOSFET是功率转换器效率最大化的最佳解决方案吗? 本文探讨了最近在1200 V,80mΩ碳化硅 MOSFET上进行的研究,突出了其短路能力。 碳化硅(SiC) MOSFET具有极高的开关损耗,可最大限度地提高功率转换器的效率。 然而,在确定这些器件是否是用于实际功率转换应用的实际解决方案时,它们的短路鲁棒性一直是讨论的主题。 由于相对较小的芯片尺寸...
类别:转换器 2018-12-21 标签: MOSFET
集微网消息,晶圆代工厂茂硅现金增资案顺利完成,成功募得8.61亿元新台币,主要用于扩产以及偿还银行借款。茂硅大股东朋程也公布认购茂硅现金增资8925张,斥资近1.83亿元新台币。受惠金氧半场效电晶体( MOSFET)供不应求,茂硅今年持续接单满载,公司办理现金增资案,以因应购置机器设备以进行扩产,预计新产能自2020年开出,将贡献当年2.85亿元新台币营收。茂硅此次现增发行新股...
类别:伟德国际娱乐 2018-12-15 标签: MOSFET 茂硅
集微网消息, MOSFET的缺货、涨价潮早已不是什么新鲜事。 MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始,一直持续至今,主要由于上游晶圆代工厂产能有限,加之需求市场火爆,引发缺货潮。2017年下半年,长电科技先后三次提价,部分产品累计涨价幅度或超50%;长电之后,包括大中、尼克松、富鼎在内的台系 MOSFET供货商也跟着涨价。 MOSFET价格同比上涨30%,交期延长到10-20...
类别:便携/移动产品 2018-12-04 标签: 晶圆 MOSFET
芯科技消息(文/雷明正),金属氧化物半导体场效晶体管( MOSFET)与电源管理IC厂商杰力今(26)日举办法说会,对于未来展望,总经理吴嘉连表示,今年第4季大概和第3季持平,不过,随着电动车发展,整体 MOSFET市场需求仍大于供给的产能。吴嘉连指出,一般汽车所使用的功率元件占21%,电动车则呈倍数增长到55%,主要原因是,汽车产业相当高的比例加入像电动车般的电子管理,传统...
类别:分立器件 2018-11-27 标签: MOSFET
 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723)今日宣布推出全新汽车应用级的 100V、4A 半桥N- MOSFET系列驱动器--- ISL784x4。ISL784x4 系列驱动器包括三个型号: ISL78424 、 ISL78444(三态电平PWM 输入,高边和低边驱动输出)和 ISL78434(高边和低...
类别:转换器 2018-11-07 标签: 瑞萨 驱动器 ISL784x4
新器件进一步提高电源效率 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率 MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。 TK040N65Z是DT MOS VI系列的首款器件,是一款支持续漏极电流(ID)高达57A,脉冲电流(IDP)高达228A的650V器件该款新器件提供...
类别:分立器件 2018-09-27 标签: MOSFET 东芝
   金属氧化物半导体场效电晶体( MOSFET)厂大中(6435)总经理薛添福表示,今年下半年 MOSFET供给将持续短缺,大中当前产能也相当吃紧,预期目前供货缺口比例达到三成。不过,目前大中在短期内有抢到多余产能,将有助于出货成长。法人预期, MOSFET市场在缺货效应加持下,大中可望借由产品涨价提升毛利率,第三季获利相较上季有机会明显提升。大中昨(28)日...
类别:伟德国际娱乐 2018-08-29 标签: MOSFET 毛利率
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压 MOSFET器件。英飞凌科技股份公司推出Cool MOS™ P7系列的新成员950 V Cool MOS P7超结 MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求:用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率,减少用料并降低总生产成本。 ...
类别:分立器件 2018-08-27 标签: MOSFET器件
本文将探讨如何选择用于热插拔的 MOSFET(金氧半场效晶体管)。 当电源与其负载突然断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压,对电路上的电子元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似,此处 MOSFET可以将输入电源与其他电路隔离开来。但此时, FET的作用并不是立即断开输入与输出之间的连接,而是减轻那些具有破坏力的浪涌电流带来的严重后果。这需要通过一个控制器...
类别:分立器件 2018-08-06 标签: MOSFET 热插拔

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MOSFET的基础知识:2.功率 MOSFET 的结构和工作原理:功率 MOSFET的种类:按导电沟道可分为P 沟道和N 沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率 MOSFET 主要是N沟道增强型。2.1 功率 MOSFET 的结构功率 MOSFET 的内部结构和电气符号如图1 所示;其导通时...
类别: 2013年09月20日 标签: 功率MOSFET
MOSFET的工作原理 MOSFET的工作原理 MOSFET的原意是: MOS(M etal OxideSemiconductor金属氧化物半导体), FET(Field EffectTransistor场效应晶体管),即以金属层...
类别: 2013年09月29日 标签: MOSFET 的工 作原
功率 MOSFET的基本知识功率 MOSFET的基本知识自 1976 年开发出功率 MOSFET 以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率 MOSFET 其工 作电压可达 1000V;低导通电阻 MOSFET 其阻值仅 lOm;工作频率范围从直流到达数兆赫;保护措施越来越完善;并开 发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近...
类别: 2013年09月29日 标签: 功率 MOSFET 的基 本知
功率场效 应晶体管 MOSFET 功率场效应晶体管 MOSFET 摘要:文中阐述了 MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了 MOSFET的驱动电路及其发展动态。 关键词: MOSFET 结构 特性 驱动电路 发展 Abstract:This paper elaborate MOSFET frame、work elements、static state...
类别: 2013年06月18日 标签: MOSFET
能同时满足高、低b值的晶体管工作要求的设计方案8.2.6驱动效率8.3贝克(baker)钳位8.3.1baker钳位的工作原理8.3.2使用变压器耦合的baker钳位电路8.3.3变压器型baker钳位[5]8.3.4达林顿管(darlington)内部的baker钳位电路8.3.5比例基极驱动[2~4]8.3.6其他类型的基极驱动电路参考文献第9章大功率场效应管( mosfet)及其驱动电路9.1...
类别: 2013年06月18日 标签: 开关电源设计
管(Darlington)内部的Baker钳位电路 8.3.5 比例基极驱动[2~4] 8.3.6 其他类型的基极驱动电路 参考文献 第9章 大功率场效应管( MOSFET)及其驱动电路 9.1 概述 9.2 MOSFET管的基本工作原理 9.2.1 MOSFET管的输出特性(Id-Vds) 9.2.2 MOSFET管的输入阻抗和栅极电流 9.2.3 MOSFET管栅极驱动...
类别: 2013年07月15日 标签: 开关电源
N3856V动作原理说明:DISCONTINUE MODE 是利用流經 MOSFET 兩端的電流與 MOSFET 本身之RDS(ON)形成電壓降(VSD)和內部參考電壓20mV 比較來控制 MOSFET 的導通與關閉 , N3856V 內部有一個電流偵測電路(current decter), 其偵測端直接接於 MOSFET 之源極(S)與洩極(D) ,因為此IC 之參考接地為 MOSFET 之源極(S...
类别: 2013年09月22日 标签: N3856V动作原理说明
MOSFET开关过程理解 本文先介绍了基于功率 MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率 MOSFET开关过程的方法:基于功率 MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程。开关过程中,功率 MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程。在跨越恒流区时,功率 MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加。米勒平台区对应着最大的负载...
类别: 2013年06月08日 标签: MOSFET开关过程理解
,当开关K2,K3关断的瞬间,由二极管VD4,VD1提供线圈绕组的续流,电流回路为地→VD4→线圈绕组BA→VD1→电源+Vs.步进电机驱动器中,实现上述开关功能的元件在实际电路中常采用功率 MOSFET管.    由步进电机H桥驱动电路原理可知,电流在绕组中流动是两个完全相反的方向.推动级的信号逻辑应使对角线晶体管不能同时导通,以免造成高低压管的直通. ...
类别: 2013年09月22日 标签: 步进电机控制电路设计
随着 MOSFET 的应用日益广泛,在一些特殊场合常常会使用到互补 MOSFET。本文针对互补 MOSFET 的驱动问题进行了深入讨论,比较了常用的驱动电路,提出了一种针对互补 MOSFET 设计的新型驱动电路,并通过仿真验证了结果。关键词:互补 MOSFET,脉冲变压器,隔离驱动电路随着电力半导体器件的发展[1-2],已经出现了各种各样的全控型器件,最常用的有适用于大功率场合的大功率晶体管(GTR...
类别: 2013年09月19日 标签: 互补MOSFET的脉冲变压器隔离驱动电路设计

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1-4灯显,带按键和照明功能 无线输出板 无线充电使用了上海伏达的NU1300,支持A5和A11两种线圈,兼容WPC V1.2标准。支持输入低电压检测、过电流过热检测等。 无线驱动同样使用了上海伏达的NU1006,5V全桥驱动,5W输出。 最后一颗芯片是XB8608,它是单节锂电池保护IC,过流保护9A,内置功率 MOSFET。 此内容由EEWORLD...
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此方案默认输出为5V/3A,可通过负载结合XPD518B 进行逻辑判断,自动调整输出电压,可兼容QC3.0/2.0 协议,华为FCP/SCP 协议,三星AFC 协议,MTK PE+协议,USB BC1.2 DCP,Apple 2.4A 充电规范;XPD518B 内部集成功率 MOSFET,自带欠压保护、过压保护、过流保护等功能。 XL4013 是TO252-5L 封装的开关降压...
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,而白色 LED 用于 802.15.4 无线电连接。 15、蜂鸣器 蜂鸣器 CMT-4023S-SMT 通过 GPIO (PTA8/FTM0_CH1)和 P沟道 MOSFET 连接到 K64F MCU。 GPIO 配置为脉冲宽度调制输出,以控制声音频率和声级。默认输出频率为 4kHz。 16、重置按钮 可通过按下 SLN-RPK-NODE 背面的 SW5/重置按钮,同时重置 K64F...
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承受 28V的输入电压,通过外部电阻,恒流(CC)可设置为600 mA。恒压固定为4.2V。无需外部 MOSFET、反向阻断二极管和电流感应电阻,确保最大600 mA的可编程充电电流,在-20 °C至70 °C温度范围内,电压精确度为±0.7,在-40 °C至85 °C温度范围内,电流精确度为±5%,最小输入工作电压为2.6 V。 这颗芯片在Hexiwear中一直延续到Rapid IoT中,原理图...
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轴向的成本。直播日程如下:1. 支持双轴的芯片特性; 2. 支持双快速电流环的单芯片。 39、Littelfuse 碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基二极管产品介绍及相关应用(2018年11月22日) 直播回放观看:http://training.eeworld.com.cn/course/4811 碳化硅(SiC)是在功率半导体产品中的创新产品之一, 与传统的硅基产品相比,SiC...
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的工程师会对它产生一定的畏惧心理,比如担心开关电源的干扰问题,PCB layout问题,元器件的参数和类型选择问题等。其实只要了解了,使用一个开关电源设计还是非常方便的。一个开关电源一般包含有开关电源控制器和输出两部分,有些控制器会将 MOSFET集成到芯片中去,这样使用就更简单了,也简化了PCB设计,但是设计的灵活性就减少了一些。 开关控制器基本上就是一个闭环的反馈控制系统,所以一般都会有一个...
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隔离了我们感兴趣的3ns-10ns之间的脉冲宽度。记得我在做研发的时候,用的示波器存储深度很低,为了捕获到 MOSFET的最大值,并不是一次捕获很长时间的VDS电压信号来自动测量峰值,而是不断地调节触发电平的幅值,渐渐使触发电平提高以查看是否能触发到信号。            图五示波器面板按钮的触发部分   触发模式:示波器有四种...
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(Surface Mount)。       插入式就是 MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有:双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。 插入式封装        表面贴裝则是 MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板...
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在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中,我们把图 1...

在这篇《电源设计小贴士》中,我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理,而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常,作为设计过程的一个组成部分,您会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范,并且需要选择一些 FET。另...

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