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氮化镓

在电子工程世界为您找到如下关于“氮化镓”的新闻

负责人Elena Barbarini博士说:“然而,技术全景还不清楚;每个制造商都提供芯片设计和封装集成解决方案。这带来了激烈的竞争,将加速在集成和更优性能方面的技术创新。” 相较于先前使用的硅晶体管, 氮化镓(GaN)可以让全新的电源应用在同等电压条件下以更高的开关频率运行。这意味着在相同条件下,GaN可实现比基于硅材料的解决方案具有更高的效率。  ...
类别:材料技术 2018-12-29 标签: 半导体材料 氮化镓
目前,以碳 硅(SiC)和 氮化镓(GaN)为代表的第三代 合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。然而,SiC和GaN并不是终点,最近,氧 化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野,凭借其比SiC和GaN更宽的禁带,该种...
类别:市场动态 2018-12-25 标签: 氧化镓 碳化硅 氮化镓
经过了多年的探索和研究之后, 氮化镓(GaN)等宽禁带材料终于进入了大爆发前的最后冲刺阶段。面对这个十亿美元级别的市场,国内外厂商正在摩拳擦掌,纷纷推出新品,以求在这个市场与竞争对手一决高下。全球功率半导体供应商英飞凌也在近日宣布了他们在GaN方面的最新进展。按照英飞凌大中华区副总裁电源管理及多元 市场事业部负责人潘大伟的说法,他们推出的GaN增强模式高电子迁移率晶体管...
类别:半导体生产 2018-12-07 标签: 英飞凌
作者:德州仪器(TI) 氮化镓解决方案高级技术战略经理Masoud Beheshti在多伦多一个飘雪的寒冷日子里。我们几个人齐聚在本地一所大学位于地下的高级电力电子研究实验室中,进行一场头脑风暴。有点讽刺意味的是,话题始终围绕着热量,当然不是要生热取暖,而是如何减少功率转换器产生的热量。我们已经将MOSFET和IGBT分别做到了极致,但是我们中没有人对此感到满意。在这个探讨...
类别:材料技术 2018-11-26 标签: GaN
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)携 氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和 氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。英飞凌展示了其产品的优越性:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出...
类别:半导体生产 2018-11-15 标签: 英飞凌
        关于消费级 氮化镓GaN充电器的话题从来不曾停止。先是初创品牌Dart-C日渐式微,台达Innergie 60W USB PD与GaN绝缘,就连德州仪器提供的DEMO也并不建议用做量产参考,小体积大功率的消费级 氮化镓充电器在哪里成了谜团。        但等待的时间似乎没有用上太久...
类别:便携/移动产品 2018-10-26 标签: 氮化镓充电器
Plessey 是屡获殊荣的光电子技术解决方案的领先开发商,宣布已从 AIXTRON SE (FSE: AIXA) 订购了下一个反应器,AIXTRON SE 是半导体行业沉积设备的全球领先供应商。AIX G5+ C 金属有机 学气相沉积 (MOCVD) 反应器将提升 Plessey 在硅 (GaN-on-Si) 晶圆上制造 氮化镓的能力,其目标是应用于下一代...
类别:光通讯 2018-09-26 标签: 反应器 氮化镓
合作研制先进的硅基 氮化镓功率二极管和晶体管架构,并将其量产利用IRT纳电子技术研究所的研究结果,工艺技术将会从Leti的200mm研发线转到意法半导体的200mm晶圆试产线,2020年前投入运营 意法半导体(和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基 氮化镓(GaN)功率开关器件制造技术。该硅基 氮化镓功率技术将让意法半导体能够满足高能效、高功率的应用...
类别:分立器件 2018-09-25 标签: 硅基氮化镓
节能减碳意识兴起,这股风潮也连带席卷汽车产业,电动车需求开始快速攀升。为有效提升电动车整体功率并减少车体重量,采用新一代功率半导体可说是势在必行, 氮化镓便应运而生;透过 氮化镓IC,未来的电动汽车将更快、更小、具更佳的性能,同时实现更低的能源损耗。随着全球能源结构朝向低碳能源和节能运输转移,节能汽车产业亦正面临着挑战。如今,整个电动汽车(EV)市场的成长率已经超过传统内燃机...
类别:动力系统 2018-08-13 标签: 氮化镓
重量和提高能效,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳 硅(SiC)和 氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。一个主要优势是大大减少开关损耗。首先,这意味着器件运行更不易发热。这有...
类别:电源设计 2018-07-24 标签: 功率器件 氮化镓

氮化镓资料下载

本书为Qorvo的射频技术For Dummies系列书籍中的《 氮化镓 For Dummies》的 氮化镓技术部分。...
类别: 2017年11月10日 标签: 氮化镓
本书为Qorvo的射频技术ForDummies系列书籍中的《 氮化镓ForDummies》的 氮化镓应用部分。...
类别: 2017年11月10日 标签: 氮化镓应用
   氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。   增强型 氮化镓(eGaN)FET与硅功率MOSFET相比有许多优势,而且就像MOSFET一样,许多设计人员想通过并联器件来提高其转换器的功率性能。因为eGaN FET的开关速度要比商用MOSFET快十倍,所以并联会带来许多新挑战。这篇文章分成...
类别: 2013年09月22日 标签: 场效应晶体管 寄生电感 开关阈值电压
,产生电致发光现象。发光颜色与构成其基底的材质元素有关。 3.材料 材料: GaAs(砷 化镓)红光,GaP(磷 )绿光,GaN( 氮化镓)蓝色 4.LED类型 (1). 直插型      ① 346(φ3椭圆)      ② 546(φ5椭圆) (2). 表贴三合一    ...
类别: 2013年09月22日 标签: LED 显示屏 基础知识
氮化镓MOSFET 高频,低开关损耗...
类别: 2016年05月20日 标签: TPH3212PS TPH3207WS TPH3208PS
transphorm 氮化镓产品...
类别: 2016年05月20日 标签: TPH3212PS TPH3208PS
LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作 氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机 学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳 硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积...
类别: 2013年09月20日 标签: LED芯片制造流程入门资料
        为使大众更了解LED的制作程序,以下将针对 氮化镓系列LED作详细的介绍。...
类别: 2013年12月06日 标签: LED外延和芯片制造过程
Using enhancement mode GaN-on-Silicon devices is very similar to using modern power MOSFETs. However, due to the significantly better performance, there are some additional design and test considerati...
类别: 2013年09月07日 标签: 使用增强型氮化镓上硅功率晶体管

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上,随着信息技术的突飞猛进,以碳 硅(SiC)和 氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、电力电子和微波射频器件的关键技术和材料支撑。2018年3月,中国科技部高新司在高质量第三代半导体材料关键技术上实现了新突破,据相关工作人员对OFweek电子工程网介绍,该项目完成了两英寸GaN自支撑衬底的规模 生产,实现...
0次浏览 2019-01-02

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一些近距离私人使用的设备,如智能手环、智能手表、智能秤等。 蓝牙在智能家居的安防方面应用很大,降低误报率。智能家电包括了冰箱、洗衣机、微波炉、电视机等在内的大小家电,通过蓝牙无线通信技术与主站连接,通过internet网络,获取家电使用情况信息。 GaN是什么? 氮化镓(GaN)研究热潮席卷了全球的电子工业。 具体了解一下 氮化镓(GaN)产品,该材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高...
131次浏览 2018-12-19

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仿真系统等特点。 UCC28780及UCC24612的芯片组合,能够减少50%的占用空间,在满负载情况下提供95%的效率。还有一个重点的是待机功耗小于40mW,我们可以在全世界每一个地方都符合该地区的待机标准,现在在国内也非常重视节能,这是一个很重要的指标。   UCC28780可以同时支持 氮化镓和硅,主要是根据不同功率切换 氮化镓和一般功率的MOSFET,IC那部分TI已经有整套...
101次浏览 2018-12-17

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在2018中国国际应用科技交易博览会上,我国5G芯片交出了一份喜人的成绩:国产5G通信基站GaN( 氮化镓)功率放大器芯片对外亮相。 据悉,5G GaN芯片已完成多款产品设计,并已获得中电集团客户认证成功,计划2019年正式推出,将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求,未来可望实现人与人乃至物联网、生产机器人、无人驾驶“实时无线电通信”。 如今在3.5GHz以上基站部署方面,GaN...
0次浏览 2018-12-13

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力特有配合保护碳 硅器件的熔丝吗?如何选择? 短路保护的蛮难选。因为SiC MOSFET动作快 找资料 有参考手册和方案么? 上力特的网站可以查阅有关SIC MOSFET的设计参考方案和demo board的手册。 比较 在应用设计时,选择SiC MOSFET与IGBT上有何区别? 20KHz以上 SiC MOSFET 比较 氮化镓的MOS和sic的mos在性能上和选择上有...
95次浏览 2018-12-05

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今天上午10:00 有奖直播【TI 基于GaN 的应用介绍】 >>点此进入直播 直播时间: 2018年12月04日上午10:00-11:30 直播主题: 基于GaN 的高频(1.2MHz)高效率 1.6kW 高密度临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC)转换器的应用介绍 直播内容: TIDA-00961方案使用了TI 600V 氮化镓(GaN)功率器件...
101次浏览 2018-12-04

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,有碰到问题(不单单是消息提醒,任何论坛使用上的问题都可以)的可以跟帖详细的说说所用浏览器,怎么进行操作的,出现了什么问题。这样我们好跟技术反馈,对症下药! 跟帖反馈到12月8日,欢迎大家积极反馈,将在反馈的网友中抽一人送出一份小礼物。 尺寸减半、功率翻番!—— 氮化镓技术给机器人、可再生能源和电信等领域带来革新 从“砖头”手机到笨重的电视机,电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间...
88次浏览 2018-12-03 标签: 一周精彩回复

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!—— 氮化镓技术给机器人、可再生能源和电信等领域带来革新 GaN 除了贵,似乎优势多多。 可再生能源发展是趋势 [quote][size=2][url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=2823426&ptid=1061382][color=#999999]3228 发表于 2018-11-29 15:42[/color][/url][/size...
79次浏览 2018-11-27

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本帖最后由 alan000345 于 2018-11-26 20:30 编辑 作者:德州仪器(TI) 氮化镓解决方案高级技术战略经理Masoud Beheshti在多伦多一个飘雪的寒冷日子里。我们几个人齐聚在本地一所大学位于地下的高级电力电子研究实验室中,进行一场头脑风暴。有点讽刺意味的是,话题始终围绕着热量,当然不是要生热取暖,而是如何减少功率转换器产生的热量。我们已经将MOSFET...
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101次浏览 2018-11-15

氮化镓视频

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2016-04-19 标签: DC 功率器件 PFC 氮化镓 无桥

由于其出色的开关特性和经改进的性能指标,氮化镓 (GaN) 技术最近在电源转换应用中备受关注。具有低寄生电容和零反向恢复的非共源共栅 (cascoded) GaN可实现更高的开关频率和效率,从而提供了全新的应用和拓扑选择。连续传导模式 (CCM) 图腾柱PFC就是从GaN优点中受益的一种拓扑。与...

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2017-06-05

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